Nas últimas horas, a Samsung revelou seu primeiro módulo Memória DDR5 da 512 GB com base no novo processo Portão de metal high-k, também conhecido como HKMG. O DDR5, o novo padrão DRAM comercial, atende às necessidades de cargas de trabalho de alta largura de banda e com grande demanda por computação em aplicativos de supercomputação, inteligência artificial e aprendizado de máquina. Como você já notou, este é um período particularmente rico de novidades para o mercado de componentes de hardware, que em breve verá a entrada de NVIDIA GeForce RTX 3080 Ti e 3070 Ti.
Como sucessor do popular DDR4, este novo olhar para o futuro promete dobrar o desempenho até 7.200 megabits por segundo, velocidade suficiente para processar dois filmes de ultra-alta definição de 30 GB em um segundo, com a nova solução HKMG que ajuda a reduzir o vazamento de corrente. A memória em questão pode enviar e receber sinais de dados duas vezes durante um único ciclo de clock e permite taxas de transferência e capacidades significativamente maiores.
A tecnologia HKMG é tradicionalmente usada em semicondutores lógico, onde ele usa um material dielétrico alto na camada isolante para reduzir o vazamento de corrente. Em estruturas DRAM, essa camada isolante é afinada, o que geralmente resulta em uma corrente de fuga mais alta. Mas com seu novo DDR5, a Samsung agora substituiu o isolamento por material HKMG para não apenas reduzir as perdas, mas também usar menos energia, tornando-o ideal para data centers onde a eficiência energética está se tornando cada vez mais crítica.
O processo HKMG foi adotado pela primeira vez na indústria no Memória GDDR6 Samsung lançado em 2018 antes de agora ser estendido para a memória DDR5. A Samsung disse que agora aplicou a tecnologia através de silício empilhar oito camadas de chips DRAM de 16 gigabit para a capacidade máxima da indústria de 512 GB. Além desse módulo, a empresa estaria testando diferentes variantes de sua família para os clientes, com a ajuda de parceiros como a Intel. Aqui estão as palavras de Carolyn Duran, vice-presidente e gerente geral de tecnologia de memória e IO da Intel:
As equipes de engenharia da Intel trabalham em estreita colaboração com líderes de memória como a Samsung para fornecer memória DDR5 rápida e eficiente em termos de energia, otimizada para desempenho e compatível com nossos futuros processadores escaláveis Intel Xeon, codinome Sapphire Rapids
